μMLA 桌面式无掩膜光刻机
μMLA 依托全球主流的μPG平台开发，是一款定位研发与快速原型的高端台式无掩模光刻系统，具备无需掩模、高精度、易用稳定等特点，是科研与小批量原型加工的标准入门级装备。 μMLA目前已经被海德堡仪器(Heidelberg Instruments)广泛用于MEMS、微流控、微光学、传感器、二维材料等领域，是纳米加工实验室、科研机构与工业界高性价比、多用户通用的微结构加工设备。
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光刻机
一、产品概述
光刻机是半导体制造流程中的核心精密装备，主要用于芯片图形转移工艺。它依托光学、精密机械、微纳控制、真空环境等多领域技术融合，将设计好的电路图案精准复刻至晶圆表面，是实现微纳尺度半导体器件量产的关键设备，广泛应用于集成电路、分立器件、先进封装等半导体制造场景。
二、工作原理
光刻机核心为光学投影光刻原理。光源发出特定光束，经过光学系统进行光束整形、匀化与校准后，穿透承载电路图案的掩模版，使图案随光束传递；再通过高精度投影物镜，将缩小后的微缩图案精准投射到涂覆光刻胶的晶圆表面。
受光照区域的光刻胶会发生理化特性改变，后续配合显影、刻蚀等工序，即可把掩模上的电路结构永久转移至晶圆基底，完成单次图形曝光作业。整套过程需配合高精度位移、对准系统，保障整片晶圆、多层电路的对位精度。
三、核心参数说明
- 曝光分辨率代表设备可实现的最小图形尺寸，是衡量光刻能力的核心指标，决定器件集成密度与工艺制程水平。
- 对准精度指不同曝光层之间、掩模与晶圆之间的对位误差控制能力，多层电路叠加制造对该指标要求极高，直接影响成品良率。
- 曝光视场单次曝光可覆盖的有效区域范围，视场大小关联单次作业效率与图形拼接效果。
- 光源类型与波段不同发光类型及光谱波段，会直接决定曝光分辨率、光刻胶适配性与整体工艺窗口，是区分技术代际的重要特征。
- 数值孔径投影物镜的关键光学参数，影响系统收光能力与极限分辨能力，和分辨率、景深相互制约。
- 景深范围保证图形清晰成像的纵向深度区间，需匹配晶圆表面形貌与光刻胶厚度，保障整片区域成像均匀。
- 产能效率综合体现单位时间内可完成曝光的晶圆数量，结合曝光速度、晶圆传输、换片流程等模块性能，是量产场景的重要考量项。
- 环境适应性包含振动抑制、温湿度控制、洁净度要求等，光刻机对外部环境扰动高度敏感，稳定的运行环境是精度持续稳定的基础。
DWL66+ 多功能激光直写光刻机
DWL 66+ 兼具超强多功能性、专业级灰度光刻能力，拥有市场直写激光系统中最高分辨率，专为MEMS、微电子、微流体、光学、光子学、量子设备等领域研发与快速原型设计打造，适配各类微结构制备需求。 DWL 66+目前已经被海德堡仪器(Heidelberg Instruments)广泛用于高精度、多功能微纳结构制备，面向研发与小规模掩模制作，是全球高校、科研机构与企业广泛使用的微纳加工核心设备。
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