离子注入是半导体工业中的主要掺杂方法。它是通过电场加速和磁场筛选以及平行化，将特定元素注入到目标材料中的技术，通过高精度的控制，确保注入剂量的均匀性。因其具有控制精准，各向异性，常温工艺等优点，广泛应用于集成电路, 化合物半导体，面板等领域，成为主流的掺杂工艺。
离子注入设备结构复杂，技术难度高，是半导体制造环节的关键设备之一。
