晶锭检测是指对晶体锭(如单晶硅锭、蓝宝石晶锭、砷化镓晶锭等)进行的一系列质量检查和性能测试。晶锭检测的主要目的是确保晶圆的质量和性能符合制造集成电路的要求。这包括检测晶圆的晶体结构、杂质含量、缺陷密度等关键参数。通过晶锭检测,可以及时发现并排除不合格的晶圆,从而提高半导体产品的良率和可靠性
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Sinton BCT-400 少子寿命测量仪
是基于涡流传感器和红外光致光电导方法直接测量单晶或者多晶硅棒体少子寿命的设备,具有瞬态和准稳态两种测量模式。该设备可探测3mm 深度范围少子寿命,并能输出不同载流子注入水平下的少子寿命值,可实现低电阻率硅单晶少子寿命测量,并能通过软件端光强偏置实现单晶缺陷密度计算。
Sinton少子寿命测试仪 BCT400/BLS-1
不用接触就可以简单准确地测量原生或成型硅块的真实寿命。与半导体工业标准PV(光伏)-13相符合。
FTIR4000傅里叶红外光谱仪利用干涉仪干涉调频的工作原理,把光源发出的光经迈克尔逊干涉仪变成干涉光,再让干涉光照射样品,接收器接收到带有样品信息的干涉光,再由计算机软件经傅立叶变换即可获得样品的光谱图。
傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)是研究各种分子在红外波段发射或吸收辐射规律与分子结构关系的有力工具,主要用于物质结构的分析。
用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。特征直拉硅单晶硅锭中的滑移线寿命范围20ns至100ms(样品电阻率>0.3Ohmcm)SEMI标准PV9-1110
MDPinline ingot系统是一种多晶硅晶锭电学参数特性测量工具。它是专为高通量工厂的单块晶锭测试而研发的。每块晶锭可以在不到一分钟时间里测量其四面。所有的图谱(寿命,光电导率,电阻率)都是同时测量的。
WMT-1C是一种硅块在线电阻率测试系统,该系统由计算机控制、可用于快速测量样品的电阻率,测试范围广