GDE C200系列 化合物刻蚀机
GDE C200系列 化合物刻蚀机 GDE C200系列 Compound Semiconductor Etcher 化合物刻蚀机采用超高密度等立体源，刻蚀速率高、均匀性好，性能稳定，MTBC长，易维护，在SiC-Power、GaAs-RF、GaN-RF、滤波器、Optic等领域应用广泛，已在多条产线验证成功，积累了丰富的经验，在集成电路、化合物领域、新兴、科研等领域的应用非常广泛。
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等离子刻蚀设备
等离子干法刻蚀技术是利用等离子体进行薄膜微细加工的技术，由于具有良好的各向异性和工艺可控性已被广泛应用于半导体基础产品制造领域。
凭借在等离子体控制、反应腔室设计、刻蚀工艺技术、软件技术的积累与创新，在集成电路、功率半导体、化合物半导体、半导体照明、微机电系统、先进封装等领域均可提供先进的装备及工艺解决方案。北方华创现已形成对刻蚀工艺的全覆盖，具有对硅、深硅、金属、介质、化合物半导体（SiC, GaN, GaAs, InP, LiNbO₃, LiTaO₃等）等多种材料的刻蚀能力，凭借优良的工艺性能成为客户的优选。
PSE V300系列 12英寸等离子体深硅刻蚀机
PSE V300系列 12英寸等离子体深硅刻蚀机 PSE V300系列 Deep Silicon Etcher PSE V300主要用于12英寸深硅刻蚀，最多可同时挂载6个独立反应腔。该设备应用分区进气和气体快速切换系统，兼容Bosch和Non-Bosch工艺，可实现不同尺寸结构的硅通孔和沟槽刻蚀。该设备能满足结构中要求的光滑侧壁轮廓和严格的角度控制，为深硅刻蚀提供优异的解决方案。
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NMC 508系列 8英寸等离子体介质刻蚀机
NMC 508系列 8英寸等离子体介质刻蚀机 NMC 508系列 Dielectric Etcher 介质刻蚀机属于电容耦合等离子体干法刻蚀机（CCP设备），适用于6/8英寸介质层刻蚀工艺。该机台为多腔室集群设备，能够进行全自动并行工艺处理。前后道采用不同频率，实现工艺全覆盖；前道刻蚀速率快，形貌控制优；后道副产物控制优，MTBC长，CoC低。广泛应用于8寸IC、功率器件、化合物半导体等领域。
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