GDE C200系列 化合物刻蚀机GDE C200系列 化合物刻蚀机 GDE C200系列 Compound Semiconductor Etcher 化合物刻蚀机采用超高密度等立体源，刻蚀速率高、均匀性好，性能稳定，MTBC长，易维护，在SiC-Power、GaAs-RF、GaN-RF、滤波器、Optic等领域应用广泛，已在多条产线验证成功，积累了丰富的经验，在集成电路、化合物领域、新兴、科研等领域的应用非常广泛。 0.000 (CNY) 数量: 加入购物车 wishlist.addcustomwishlist 完成加入收藏夹商品比较邮件给朋友GDE C200系列 化合物刻蚀机GDE C200系列 Compound Semiconductor Etcher化合物刻蚀机采用超高密度等立体源，刻蚀速率高、均匀性好，性能稳定，MTBC长，易维护，在SiC-Power、GaAs-RF、GaN-RF、滤波器、Optic等领域应用广泛，已在多条产线验证成功，积累了丰富的经验，在集成电路、化合物领域、新兴、科研等领域的应用非常广泛。产品应用晶圆尺寸8英寸及以下适用领域功率器件、化合物半导体、新型应用、科研适用工艺碳化硅栅槽/通孔、钼/铝钪氮刻蚀、砷化镓背孔、磷化铟光波导适用材料碳化硅、铝钪氮、钼、锆钛酸铅、砷化镓、磷化铟、铌酸锂设备特点独特的等离子体源和频率设计，适用于强键合材料刻蚀优异的刻蚀速率及刻蚀均匀性，PM周期长灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用适配多种终点检测方法
