湿法设备

湿法工艺主要用于去除芯片制造中上一道工序所遗留的超微细颗粒污染物、金属残留、有机物残留物，去除光阻掩膜或残留，也可根据需要进行硅氧化膜、氮化硅或金属等薄膜材料的湿法腐蚀，为下一步工序准备好良好的表面条件。清洗一般采用化学和物理作用力相结合的方法实现，在清洗时既要有很好的腐蚀选择性，高效地去除超微细颗粒物及各种残留物的能力，又不能对晶片表面的精细图形结构造成损伤。湿法腐蚀速率、腐蚀均匀性，晶圆正、反面交叉污染的控制，清洗效率等都是至关重要的工艺要素。   

清洗设备

清洗半导体表面的设备，可以去除表面的污染物和杂质。

在半导体器件制造过程中，清洗是非常关键的一步，不仅可以去除表面的污染物和杂质，还可以提高器件的电性能和稳定性。

清洗一般采用化学和物理作用力相结合的方法实现，在清洗时既要有很好的腐蚀选择性，高效的去除超微细颗粒物及各种残留物的能力，又不能对晶片表面的精细图形结构造成损伤。

酸洗设备

去除半导体表面上的氧化物、有机物和金属杂质等，常用的酸包括盐酸和硫酸。

酸洗是利用酸性溶液与半导体材料表面发生化学反应，从而去除表面的氧化物、有机物质或金属离子等污染物的过程。

碱洗设备

用于去除半导体表面上的有机物和金属杂质，常用的碱包括氢氧化钠和氢氧化铵等。

碱洗是利用碱性溶液与半导体材料表面发生化学反应，从而去除表面的有机物质或金属离子等污染物的过程。

腐蚀设备

控制性的腐蚀半导体材料表面，常用的腐蚀液包括氢氟酸、氨水和过氧化氢等。

湿法腐蚀具有不损伤衬底和完全蚀刻的能力，因此在制造复杂器件时更具优势。

腐蚀速率、腐蚀均匀性、晶圆正反面交叉污染的控制以及清洗效率等都是至关重要的工艺要素。

沉积设备

在半导体表面上沉积不同材料的薄膜，常见的方法包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）和电化学沉积（ECD）等。

沉积过程通常涉及将反应气体引入到反应室中，并在半导体材料表面形成所需的薄膜材料。

随着半导体工艺的不断发展，新的湿法工艺设备也在不断涌现，以满足新材料和新工艺的要求。