半导体可靠性测试中使用的TLM（传输线测量）法，是一种专门用于精确表征和监控金属电极与半导体材料之间“欧姆接触”质量的关键技术。它的核心是通过测量一组不同间距的接触电阻，来分离并计算出“接触电阻”和半导体材料的“方块电阻”，从而判断接触性能是否退化。
这对于可靠性测试至关重要，因为欧姆接触的劣化（如金属扩散、界面反应）是器件长期失效的主要原因之一。
TLM法的核心原理与结构
TLM测试结构通常是在半导体衬底上制备一系列长度（L）相同、但间距（d）不同的金属电极条，如下图所示：
在可靠性测试中的具体应用与操作
在可靠性测试中，TLM结构作为“监视器”被集成在测试芯片上，其应用流程和目的如下：
| 应用阶段 | 具体操作与目的 |
|---|---|
| 1. 初始基准测试 | 在老化实验（如高温、高电流应力）前，测量TLM结构的初始接触电阻率（ρc）和方块电阻（R□），作为性能基准。 |
| 2. 施加应力 | 将包含TLM结构的器件置于高温存储（HTOL）、电迁移（EM）或温湿度（THB） 等苛刻条件下进行加速老化，模拟长期使用。 |
| 3. 周期监测 | 定期中断老化过程，再次测量TLM参数，观察ρc和R□随时间/应力条件的变化。 |
| 4. 数据分析与失效判定 | 通过参数漂移量（如ρc增加20%），量化接触退化程度，为器件寿命模型提供关键数据。 |
TLM法的核心原理与结构
TLM测试结构通常是在半导体衬底上制备一系列长度（L）相同、但间距（d）不同的金属电极条，如下图所示：
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