Sinton离线晶片少子寿命测试仪 WCT-120

WCT-120/WCT-120MX: 硅片寿命的标准离线测试工具

硅片测试仪器提供了对载流子复合寿命进行校准分析的现有最佳技术。完全遵从 SEMI 标准 PV-13。

WCT-120 是放置在桌面上的硅片寿命测量系统，适用于器件研究和工业过程控制，价格实惠。WCT-120MX适用于测试230 mm的大硅片。

 

产品概述

WCT-120和WCT-120MX 仪器展示了我们独特的测量和分析技术，包括 Sinton Instruments公司在 1994 年开发的遵从 SEMI 标准的准稳态光电导（QSSPC）寿命测量方法。

WCT-120仪器使用QSSPC和瞬态光电导衰减技术，可以测量10 ns到10 ms+范围的硅片寿命。QSSPC 技术适用于监测多晶硅片、掺杂扩散及低寿命样品。瞬态光电导衰减技术适用于对高寿命样品的工艺进行逐步监控。

WCT-120寿命测试也会给出隐含开路电压（随光照强度变化的）曲线，相当于在电池工艺的每个阶段都能给出一条I-V曲线。

Sinton少子寿命测试仪WCT-120系统功能

主要应用：
一 对制造工艺进行逐步监控和优化。

其他应用：

• 监测初始材料质量
• 在硅片加工过程中检测重金属杂质污染
• 评估表面钝化和发射极掺杂扩散
• 使用隐含I-V测试，估算加工过程引起的并联电阻

Sinton Instruments 的分析会给出每张硅片的校准的载流子注入水平，所以可以认为寿命数据在物理意义上是准确的。每次测试都会显示和记录用户所关注的特定参数。

美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括类似平稳状态photoconductance (QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况。WCT一个高度被看待的研究和过程工具。QSSPC终身测量也产生含蓄的打开电路电压(对照明)曲线，与最后的I-V曲线是可比较的在一个太阳能电池过程的每个阶段。
美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪器采用了独特的测量和分析技术，包括准稳定态光电导(QSSPC)测量方法。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应,表面复合效应等缺陷情况。WCT在大于20%的超高效率太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的必备检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开路电压曲线，可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化。
主要应用：分布监控和优化制造工艺

其它应用：
检测原始硅片的性能
测试过程硅片的重金属污染状况
评价表面钝化和发射极扩散掺杂的好坏
用得到的类似IV的开压曲线来评价生产过程中由生产环节造成的漏电。

主要特点：
只要轻轻一点就能实现硅片的关键性能测试，包括表面电阻，少子寿命，陷阱密度，发射极饱和电流密度和隐含电压。

Sinton少子寿命测试仪WCT-120常见问题：

• 美国Sinton WCT-120与WT-2000测少子寿命的差异？
• WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC）准稳态光电导衰减法，而WT2000是微波光电导衰减法。
• WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理？
• WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance（QSSPC准稳态光电导）
• 准稳态光电导衰减法（QSSPC）和微波光电导衰减法（MWPCD）的比较？
• QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量，同时可以结合 SRH模型，得出各种复合寿命，如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。

MWPCD方法测试的信号是一个微分信号，而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值，MWPCD在加偏置光的情况下，结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线，而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度，因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线，并且得到PN结的暗饱和电流密度；MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个，甚至更小的尺寸，在照射过程中，只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子，也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值，这对于寿命分布不均匀的样品来说，结果并不具备代表性。

少子寿命测试仪性能参数？

• 测量原理：QSSPC（准稳态光电导）；
• 少子寿命测量范围：100 ns-10 ms；
• 测试模式：QSSPC，瞬态，寿命归一化分析；
• 电阻率测量范围：3–600 (undoped) Ohms/sq.；
• 注入范围：1013-1016cm-3；
• 感测器范围：直径40-mm；
• 测量样品规格：标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；
• 硅片厚度范围：10–2000 μm；
• 外界环境温度：20°C–25°C；
• 功率要求：测试仪： 40 W ， 电脑控制器：200W ，光源：60W；
• 通用电源电压：100–240 VAC 50/60 Hz；特的瞬态光电导技术

QSSPC技术对于监测多晶硅硅片，掺杂剂的扩散，和低寿命样本是理想的技术。这种方法补充了瞬态光电导技术的运用。瞬态光电导技术在这台设备上也是标准的。

 

QSSPC寿命测量

QSSPC寿命测量也产生隐含的开路电压（与lllumination)曲线，这可以与an1-v曲线在太阳能电池过程的各个阶段进行比较。

 

优秀的软件数据处理系统

Sinton设备的分析能为每个晶片产生校准载流子注入水平，所以你可以以一个物理上的方式解读寿命数据。每次测量都会显示和记录特定的参数。

WCT系统功能

单击即可锁定晶硅片的关键参数，包括方块电阻、少子寿命、陷阱密度、发射极饱和电流密度和暗电压

•制造过程的逐步监测和优化

•监测初始材料质量

•晶片加工过程中检测重金属杂质

•评估表面钝化和发射极掺杂扩散

•使用隐含V测量评估过程引起的分流

项目	内容
测量参数	少子寿命、电阻率、发射极饱和电流密度、陷阱浓度、标准太阳下Voc
寿命测量范围	100nm-10ms
测量（分析）模式	QSSPC，瞬态和归一化寿命分析
电阻率测量范围	3-600（未掺杂）Ohms/sq
可得到的偏压范围	0-50suns
可得到的光谱	白光和红外光
感应范围	直径40mm
样品尺寸，标准配置	标准直径：40-230mm
硅片厚度范围	10-2000um