SEBI® RT1000 新型波前传感器SEBI® RT1000 是一款具备实时处理能力的高分辨率波前传感器,专为严苛的光学计量与半导体检测任务设计,可提供高精度测量与高密度采样能力。 0.000 (CNY) Qty: Add to cart Custom wishlist OKAdd to wishlistAdd to compare listEmail a friendEBI® RT1000 新型波前传感器SEBI® RT1000 是一款具备实时处理能力的高分辨率波前传感器,专为严苛的光学计量与半导体检测任务设计,可提供高精度测量与高密度采样能力。它继承了 Wooptix 核心的自适应光学波前相位技术,能够快速捕捉并分析光学系统的波前畸变,广泛应用于半导体晶圆检测、高端光学系统(如内窥镜、精密镜头)的像差分析与质量控制。核心优势· 超高清高分辨率采样· 更快的实时处理与采集· 测量精度与重复性· 宽动态范围与波长适配· 高兼容性与易用性· 多场景适配性波前与光学性能参数1. 波前相位分布、波前畸变(低阶 / 高阶像差,含球差、彗差、像散、场曲、畸变等泽尼克模式分解)2. 光程差及光程差分布图,小可检测光程差<1nm3. 光学元件透射 / 反射率、光强分布与均匀性4. 透镜面形误差、边缘质量、均匀性及粗糙度(可检测 2.5nm-20nm 级表面粗糙度)5. 光学系统调制传递函数(MTF)辅助分析、成像分辨率至边缘一致性材料与样品形貌参数1. 样品表面纳米形貌、三维轮廓与拓扑图2. 表面粗糙度、局部应力分布与形变3. 透明 / 反射样品的厚度、总厚度变化、全局平面度4. 微结构尺寸与精度(如微透镜阵列、光刻图形的线宽、边缘粗糙度)半导体晶圆专属参数1. 硅晶圆 / 玻璃晶圆的全局翘曲、弯曲度、局部高翘曲区域检测2. 图形化晶圆 / 键合晶圆的结构畸变、层间错位、overlay 对准误差3. 晶圆干法刻蚀 / 湿法刻蚀后的表面形貌与均匀性4. 半导体器件的纳米级表面缺陷、颗粒污染检测光学元件表征专属参数1. 人工晶状体(IOL)的环缺陷、形变、均匀性及表面粗糙度;2. 抛光金属件(如钛合金假体)的内表面粗糙度、曲面形貌;性能指标标定规格(SEBI RT1000 基础升级)波长覆盖范围375 - 650 nm(可见光全波段,无额外滤光片限制)光瞳尺寸15×15 mm²(有效检测靶面)空间分辨率≤12.5 μm(可升级)相位 / 光强采样分辨率1000×1000 像素(同步采样,升级后支持更高像素拓展)绝对波前精度<λ/30 RMS(可升级)波前灵敏度λ/50 RMS(可升级)波前动态范围>300 μm可升级)实时采集 / 处理速率≥30 fps(可升级)小可检测光程差(OPD)<1 nm(可升级)F-Stop1.9 mm(ETL 专属参数,适配焦距灵活调节