德国Phystech RH2035 常温霍尔效应仪测量Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数SKU: RH2035Call for pricingQty: Add to cart Custom wishlist OKAdd to wishlistAdd to compare listEmail a friend产品原理:霍尔效应是电磁效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔(E.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。 [1] 当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,从而在半导体的两端产生电势差,这一现象就是霍尔效应,这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应使用左手定则判断。产品应用:研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数技术特征:√ 快速、简单、桌上型。√ 77K和300K√电流解析度:25pA详细参数1.磁场强度: 0.45T2.磁场类型: 永磁体磁体3.磁场均匀性: 磁场不均匀性<±1 %4.温度区域: 77K和室温5.电阻率范围: 1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm6.电阻范围: 0.1 m Ohms ~10 G Ohms7.载流子浓度: 107~1021cm-38.迁移率: 10-2~107 cm2/volt*sec9.电流解析度: 2.5 pA (lowest range)10.电压范围: ±10V11.电压分辨率: 1μVProduct tags RH2035 (1), 常温霍尔效应仪 (1)