德国Phystech RH2035 常温霍尔效应仪
测量Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
产品原理：
霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（E.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机制时发现的。 [1] 当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应使用左手定则判断。
产品应用：
研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数
技术特征：
√ 快速、简单、桌上型。
√ 77K和300K
√电流解析度：25pA
详细参数
1.磁场强度： 0.45T
2.磁场类型： 永磁体磁体
3.磁场均匀性： 磁场不均匀性＜±1 %
4.温度区域： 77K和室温
5.电阻率范围： 1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm
6.电阻范围： 0.1 m Ohms ~10 G Ohms
7.载流子浓度： 107~1021cm-3
8.迁移率： 10-2~107 cm2/volt*sec
9.电流解析度： 2.5 pA (lowest range)
10.电压范围： ±10V
11.电压分辨率： 1μV
