半导体设备用光源
Light source for semiconductor equipment
补充适配场景的译法 & 搭配
技术文档 / 产品规格书（最通用，无歧义）：Light source for semiconductor equipment
产业链 / 行业报告（简洁表述）：Semiconductor equipment light source
高频配套搭配（贴合半导体设备领域）：
半导体设备用紫外光源：UV light source for semiconductor equipment
半导体设备用光源模组：Light source module for semiconductor equipment
半导体设备用光源研发：R&D of light sources for semiconductor equipment
如果是特定波段（如深紫外 DUV、极紫外 EUV）的光源，可直接在前面加对应波段前缀，比如EUV light source for semiconductor equipment（半导体设备用极紫外光源） 。
等离子体宽带光源是通过激光 / 微波等激发惰性气体形成高温等离子体，产生覆盖深紫外到近红外的连续宽光谱光源，核心优势为高亮度、长寿命、无电极、光谱平坦，主流类型以激光驱动（LDLS）为主，广泛用于光谱分析、半导体检测、生物医学等领域。以下是结构化的核心信息与选型指南。
核心原理与技术路径
工作原理 ：高能激光束聚焦于氙气等惰性气体，形成直径约 100–500μm、温度 10,000–20,000K 的等离子体；电子受激跃迁后释放连续光谱，覆盖 170–2500nm，接近黑体辐射特性。技术路线对比 ：
| 技术路线 | 代表类型 | 光谱范围 | 核心优势 | 典型寿命 | 适用场景 |
| :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- |
| 激光驱动（LDLS） | Energetiq EQ、ISTEQ XWS | 170–2100nm | 深紫外亮度高、稳定无电极 | 9,000–10,000h | 高端光谱、半导体检测 |
| 微波等离子体 | 中科微波 LEP | 290–1800nm | 成本低、光衰小 | 50,000h+ | 太阳模拟、照明 |
| 传统短弧氙灯 | 氙弧灯 | 200–2000nm | 成熟便宜 | 500–2,000h | 常规实验、教学 |
关键性能指标（选型核心）
光谱覆盖 ：LDLS 主流 170–2100nm，覆盖 DUV–NIR，微波型常见 290–1800nm，无明显谱线断层。亮度与功率密度 ：LDLS 在 DUV（170–300nm）亮度为传统氙灯 10 倍以上，等离子体体积小（100–500μm），耦合效率高。稳定性与寿命 ：无电极设计避免电极损耗，LDLS 寿命 9,000–10,000h，微波型可达 50,000h+，长期光衰＜20%。光束特性 ：数值孔径 0.4–0.6NA，易耦合至光纤，发散角小，适合光谱仪、显微成像等精密系统。
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ISTEQ的XWS-30光源是一款超紧凑、低散热的宽带光源，具有高光谱亮度（最高可达40 mW/(mm²·sr·nm)），适用于多种科研领域，如吸收和荧光光谱学、微电子学中的诊断系统等。其“all in one”设计使其体积小巧（110x110x120mm），且无需额外冷却。光源可通过自由空间或光纤输出，并支持USB-RS485接口进行全系统控制。
XWS-30是XWS-65标准款的紧凑型一体化版本，将泵浦激光放置在发光单位的灯室中，因此无需额外的驱动器来供电就可独立运行。与XWS-65相比，其体积小、发热量低，造型紧凑，使其非常适合集成到设备中。
ISTEQ’s XWS-65 光源产品已经应用于各种应用，包括光谱学，高分辨率显微镜，薄膜测量，表面测量等。这款光源基于最前沿的技术，已经在美国和欧盟注册了自有知识产权。主要优点:• 连续激光脉冲放电• 宽光谱范围: 190 – 2500 nm• 高光谱亮度: up to 50 mW/(mm2·sr·nm)• 高时空稳定性: STD<0.15%• 高使用寿命
ISTEQ的XWS-X光源产品是为那些需要高紫外线产生的强大光源的客户设计的
• 与XWS-65 UV相比，整个光谱范围的亮度明显更高
• Max. 光谱亮度可达140 mW / (mm²sr.nm)
• x6与XWS-65紫外线相比，在250 nm以下的紫外线范围内亮度提高
• 极端时空稳定性:STD 0.05%
